蝕刻時間/缺陷率呈正函數關係 SiC晶圓表面處理時間要抓緊

2016 年 08 月 25 日
碳化矽(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但儘管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進,這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實,晶圓襯底的表面處理時間越長,則表面缺陷率也會跟著增加。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

高溫運作恐呈常態 功率循環引發失效模式能避則避

2008 年 07 月 30 日

高速LED閃光驅動有斬獲 機器視覺動態感測力升級

2018 年 10 月 04 日

克服汽車照明電子設計挑戰 LED驅動器重要性與日俱增

2019 年 05 月 02 日

機器手臂布建量漸增 RMS解決管理難題

2020 年 06 月 25 日

慣性導航/多頻GNSS聯手 都會區精準定位帶動創新應用

2022 年 07 月 11 日

簡單/雙向/彈性溝通 I²C協定串接晶片間通訊

2022 年 07 月 25 日
前一篇
搶食IIoT大餅 Wind River鎖定四大應用領域
下一篇
R&S開發全新示波器觸發/解碼軟體