蝕刻時間/缺陷率呈正函數關係 SiC晶圓表面處理時間要抓緊

2016 年 08 月 25 日
碳化矽(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但儘管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進,這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實,晶圓襯底的表面處理時間越長,則表面缺陷率也會跟著增加。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

兼具靈活配置/高效率特性 開關式LED驅動器嶄露頭角

2008 年 12 月 29 日

建構高效率/低成本行動網路 SON自組織網路大顯身手

2011 年 08 月 29 日

防範聯網車輛個資遭竊 信任錨強化汽車電子系統安全

2014 年 01 月 02 日

解決頻譜閒置/稀缺矛盾問題 5G頻譜分配產生全新競合關係

2017 年 05 月 08 日

Si/SiC/GaN各擅勝場 功率開關元件選用要仔細

2019 年 12 月 09 日

SiC大舉增加能源系統效率 電動車/太陽能逆變器高效世代來臨(1)

2024 年 07 月 04 日
前一篇
搶食IIoT大餅 Wind River鎖定四大應用領域
下一篇
R&S開發全新示波器觸發/解碼軟體